• Salle blanche:
  • • • • • • • • • • • • • • 400m²
                            • Classe 10000 (ISO7)
• Salle grise:
  • • • • • • • • • • • • • • 100m²
• 7 hottes en classe 100 (ISO5: 100 particules de taille supérieure à 0.5 μm par pied cube)

Nos équipes disposent de tous les moyens nécessaires pour réaliser des dépôts en couches minces de diélectrique ou de métaux:

• Évaporation par effet Joule (aluminium, or, chrome, etc.)
• Évaporation par canon à électrons (appartient à NanoMIR) (or, platine, palladium, titane, chrome, etc.)
  • • Moyen: Univex 350
• Pulvérisation cathodique (or, titane, chrome, platine, Al2O3, SiO2, Au/ge/Ni, Au/Zn, Au/Sn)
  • • Moyen: Univex 450, Alcatel SCM600, Plassys
• PECVD : Dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (Si3N4, SiO2, a:SiH)
  • • Corial D250

• Machines de gravure plasma ICP (Inductive Coupled Plasma) et RIE (Reactive Ion Etching)
• Technique de gravure sèche par plasma avec effet physique (bombardement de gaz ionisés) et effet chimique (gaz fluorés – pour gravure du Si, et gaz chlorés – pour gravure des métaux et III-V)
•  Équipements:
  • • ICP RIE Chlorée Oxford plasmalab 100
    • ICP RIE fluorée Corial 200 IL
    • Bâti de gravure XeF2 de silicium SPTS XACTIX
    • Plasma de délaquage de résine
      avec possibilité de faire des plasmas
      à base d’oxygène, argon, azote
      DIENNER NANO

      

• Salle de lithographie comprenant 3 hottes d’enrobage rotatif  (spin-coating) et 3 aligneurs dont un double face. Transfert de motifs sur plaquette de silicium:
  • • Résines: SU-8 2005, Shipley 1805 / 1818, AZ 2020, LOR, PDMS
    • Équipements: Karl Suss MJB4

      

    • EVG 620

      

• Lithographie électronique:
  • • Système RAITH sur microscope JEOL
• Lithographie UV par écriture laser directe:
  • • Système KLOE DILASE 250, équipé d’un laser de 2 microns de diamètre et de longueur d’onde 365nm. Possibilité de changer la ligne pour avoir un laser de 10µm

• Équipement de microscopie électronique à balayage (MEB):
  • • JEOL JSM 6460
    • FEI Inspect S50
• Analyse et métrologie
• Lithographie électronique
  • • Système Raith sur Jeol JSM6460

Disco DAD 3230, découpe de plaquettes
Si, céramique, SiC, Quartz, verre.

• Profilomètre optique Fogale
  
• Profilometre DEKTAK
  

• Ellipsomètre:
  • • PZ 2000 de chez Horiba Jobin Yvon équipé de 2 lasers, possibilité de mesures à 635 et/ou 1300nm
• Mesures électriques 4 pointes:
  • • Pointes tungstène ou osmium de marque Cascade Microtest modèle CPS Resistivity Test Fixture
      
      
      
      
      
      
      
      
      
• Mesure sur composants
  

Microscopes à force atomique: Dimension 5 Nanoscope V, Dimension 3100 Nanoscope IIIA quadrex controller

Analyse de surface: Lateral Force Microscopy, Conductive AFM, Piezoresponse Force Microscopy, Electric Force,Surface Potential, Kelvin Force microscopy

Nano Manipulation: déplacement d’atomes, de molécules et de nanostructures, Nanolithographie, nano-oxydation, etc.

2 machines de câblage filaire, diamètre 25µm (Al,Au):

Wedge bonding

Ball bonding

Nous sommes équipés de 2 fours de recuit rapide (RTA 1300°C) pour la diffusion, la restructuration cristalline, et l’oxydation de couches minces.