Analyse de défaillance
IES Engineering vous propose des prestations d’analyse et d’expertise de défaillances pour évaluer la ou les causes potentielles de défauts sur vos matériaux, composants, ou dispositifs électroniques.
Ces analyses peuvent être menées dans les domaines suivants:
Photovoltaïque
Analyse acoustique
Nos équipes peuvent imager les structures subsurfaces de matériaux opaques avec des résolutions allant de 1 µm à 1 mm.
Microscopie acoustique (C-Scan)
Analyse fréquentielle
Analyse de défaillance de composants microélectroniques en bruit BF.
Détection de défaut dans les matériaux.
Électronique de puissance
Notre équipe peut participer à des projets permettant de comprendre les modes et mécanismes de défaillance des modules de puissance suivant les types d’usage normaux et anormaux.
Milieux radiatifs
Analyse de défaillance de composants à l’aide de rayon-X.
Les analyses sur les effets des radiations portent sur la compréhension des mécanismes de dégradation des composants et systèmes électroniques.

Notre équipe a développé des méthodes de tests concernant la prédiction de la dégradation des circuits intégrés de technologie bipolaire en environnement radiatif et s’appliquent maintenant à proposer des
méthodes pour rallonger la durée de vie des composants dans le cadre d’utilisation en environnement radiatif.
La miniaturisation des composants électroniques conduit à rendre ces derniers de plus en plus sensibles aux particules de faible masse tels les protons et les neutrons, ainsi qu’aux particules de basses énergies.
Nous proposons des analyses portant sur tous les types de défaillances susceptibles d’être observées à la suite du passage d’une particule dans un composant : les phénomènes de Burnout (SEB) ou de Latchup (SEL) dans les composants de puissance, les aléas logiques (SEU) dans les mémoires SRAM, le déclenchement du Latchup (SEL) dans les inverseurs, la propagation d’impulsions transitoires (SET) dans les systèmes logiques.
Nous réalisons des tests en dose de composants électroniques et matériaux, et effectuons des études de dosimétrie:
- Gammagraphe au cobalt60 de forte activité
Nos équipes s’intéressent aux effets de synergie liés à des contraintes combinées effets électromagnétiques / effets radiatifs et disposent d’outils d’analyses fines pour la caractérisation locale de matériaux et pour la compatibilité électromagnétique (CEM) dont l’injection et l’imagerie électromagnétique en champ proche.
Analyse de défaillance de composants microélectroniques
Le laboratoire est capable de réaliser des mesures de courant de fuite ou de déterminer des défauts induits sur les composants microélectroniques.
Nous disposons d’équipements pour réaliser de l’analyse de défaillance sur vos composants:
- Microscopie en champ proche AFM (Microscopes à force atomique)
- MEB (x2 équipements)
- Profilomètre optique
- Ellipsomètre
- Station de mesures sous pointes avec 4 micromanipulateurs, échantillons wafer diamètre maximum 4pouces, permettant la mesure de résistivité 4 pointes (tungstène ou osmium)
- Analyse et métrologie : par microscopie électronique SEM (Scanning Electron Microscopy)